#include "stmflash.h"
#include "delay.h"
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//STM32内部FLASH读写 驱动代码	   

//STM32H7工程模板-HAL库函数版本
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/*************************本代码仅仅实现了BANK1****************************/
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//读取指定地址的字(32位数据) 
//faddr:读地址 
//返回值:对应数据.   

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//读取指定地址的字(32位数据) 
//faddr:读地址 
//返回值:对应数据.
u32 STMFLASH_ReadWord(u32 faddr)
{
	return *(__IO uint32_t *)faddr; 
}



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//获取某个地址所在的flash扇区,仅用于BANK1！！
//addr:flash地址
//返回值:0~11,即addr所在的扇区

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uint16_t STMFLASH_GetFlashSector(u32 addr)
{
	if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_1_BANK1)return FLASH_SECTOR_0;
	else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_2_BANK1)return FLASH_SECTOR_1;
	else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_3_BANK1)return FLASH_SECTOR_2;
	else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_4_BANK1)return FLASH_SECTOR_3;
	else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_5_BANK1)return FLASH_SECTOR_4;
	else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_6_BANK1)return FLASH_SECTOR_5;
	else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_7_BANK1)return FLASH_SECTOR_6;
	return FLASH_SECTOR_7;	
}







/**************************************************************************/

//从指定地址开始写入指定长度的数据
//特别注意:因为STM32H7的扇区实在太大,没办法本地保存扇区数据,所以本函数
//         写地址如果非0XFF,那么会先擦除整个扇区且不保存扇区数据.所以
//         写非0XFF的地址,将导致整个扇区数据丢失.建议写之前确保扇区里
//         没有重要数据,最好是整个扇区先擦除了,然后慢慢往后写. 
//该函数对OTP区域也有效!可以用来写OTP区!
//OTP区域地址范围:0X1FF0F000~0X1FF0F41F
//WriteAddr:起始地址(此地址必须为4的倍数!!)
//pBuffer:数据指针
//NumToWrite:字(32位)数(就是要写入的32位数据的个数.) 

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void STMFLASH_Write(u32 WriteAddr,u32 *pBuffer,u32 NumToWrite)	
{ 
	FLASH_EraseInitTypeDef FlashEraseInit;
	HAL_StatusTypeDef FlashStatus=HAL_OK;
	u32 SectorError=0;
	u32 addrx=0;
	u32 endaddr=0;	
	if(WriteAddr<STM32_FLASH_BASE||WriteAddr%4)return;	//非法地址

	HAL_FLASH_Unlock();             //解锁	
	addrx=WriteAddr;				//写入的起始地址
	endaddr=WriteAddr+NumToWrite*4;	//写入的结束地址

	if(addrx<0X1FF00000)
	{
		while(addrx<endaddr)		//扫清一切障碍.(对非FFFFFFFF的地方,先擦除)
		{
			if(STMFLASH_ReadWord(addrx)!=0XFFFFFFFF)//有非0XFFFFFFFF的地方,要擦除这个扇区
			{   
				FlashEraseInit.TypeErase=FLASH_TYPEERASE_SECTORS;       //擦除类型，扇区擦除 
				FlashEraseInit.Sector=STMFLASH_GetFlashSector(addrx);   //要擦除的扇区
				FlashEraseInit.Banks=FLASH_BANK_1;						//操作BANK1
				FlashEraseInit.NbSectors=1;                             //一次只擦除一个扇区
				FlashEraseInit.VoltageRange=FLASH_VOLTAGE_RANGE_3;      //电压范围，VCC=2.7~3.6V之间!!
				if(HAL_FLASHEx_Erase(&FlashEraseInit,&SectorError)!=HAL_OK) 
				{
					break;//发生错误了	
				}
				SCB_CleanInvalidateDCache();                            //清除无效的D-Cache
			}else addrx+=4;
			FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_WAITETIME,FLASH_BANK_1);    //等待上次操作完成
		}
	}
	FlashStatus=FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_WAITETIME,FLASH_BANK_1);       //等待上次操作完成
	if(FlashStatus==HAL_OK)
	{
		while(WriteAddr<endaddr)//写数据
		{
			if(HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_FLASHWORD,WriteAddr,(uint64_t)pBuffer)!=HAL_OK)//写入数据
			{ 
				break;	//写入异常
			}
			WriteAddr+=32;
			pBuffer+=8;
		} 
	}
	HAL_FLASH_Lock();           //上锁
} 






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//从指定地址开始读出指定长度的数据
//ReadAddr:起始地址
//pBuffer:数据指针
//NumToRead:字(32位)数

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void STMFLASH_Read(u32 ReadAddr,u32 *pBuffer,u32 NumToRead)   	
{
	u32 i;
	for(i=0;i<NumToRead;i++)
	{
		pBuffer[i]=STMFLASH_ReadWord(ReadAddr);//读取4个字节.
		ReadAddr+=4;//偏移4个字节.	
	}
}































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//STM32内部FLASH读写 驱动代码	   

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